| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 250961 | BC637 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 250962 | BC637 | Transistor del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 250963 | BC637 | TRANSISTORES DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 250964 | BC637 | Transistores del AF del silicio de NPN (alta alta corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250965 | BC637 | Transistores Actuales Altos | Motorola |
| 250966 | BC637 | Transistor Actual Alto | ON Semiconductor |
| 250967 | BC637 | Propósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250968 | BC637 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = 60V, 60V = VCES, VCEO = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 250969 | BC637-16 | Transistores de energía medios de NPN | Philips |
| 250970 | BC637-16 | Propósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250971 | BC637_D26Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250972 | BC637_D27Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250973 | BC637_D75Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250974 | BC637_L34Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250975 | BC638 | Transistores de energía medios de PNP | Philips |
| 250976 | BC638 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250977 | BC638 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 250978 | BC638 | Transistor del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
| 250979 | BC638 | TRANSISTORES DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 250980 | BC638 | Transistores del AF del silicio de PNP (alta alta corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250981 | BC638 | Transistores Actuales Altos | Motorola |
| 250982 | BC638 | Plástico PNP Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250983 | BC638 | Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250984 | BC638 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = -60V, VCES = -60V, VCEO = -60V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 250985 | BC638-10 | Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250986 | BC638-10 | PNP transistores de potencia media | Philips |
| 250987 | BC638-16 | Transistores de energía medios de PNP | Philips |
| 250988 | BC638-16 | Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250989 | BC638BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250990 | BC638TA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250991 | BC638TF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250992 | BC638TFR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250993 | BC638ZL1 | Plástico PNP Del Silicio Del Transistor | ON Semiconductor |
| 250994 | BC639 | Transistores de energía medios de NPN | Philips |
| 250995 | BC639 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250996 | BC639 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Zetex Semiconductors |
| 250997 | BC639 | Transistor del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 250998 | BC639 | TRANSISTORES DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 250999 | BC639 | Transistores del AF del silicio de NPN (alta alta corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 251000 | BC639 | Transistores Actuales Altos | Motorola |
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