| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 253721 | BCR129T | Transistores Digital - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253722 | BCR129W | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SOT323 | Infineon |
| 253723 | BCR129WE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253724 | BCR12CM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253725 | BCR12CM | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253726 | BCR12CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253727 | BCR12CM-12 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253728 | BCR12CM-12L | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253729 | BCR12CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253730 | BCR12CM-8 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253731 | BCR12CM-8L | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253732 | BCR12CS | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253733 | BCR12CS | TIPO MEDIO DEL USO NON-INSULATED DE LA ENERGÍA, TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Powerex Power Semiconductors |
| 253734 | BCR12CS-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253735 | BCR12CS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253736 | BCR12KM-14 | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253737 | BCR12PM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253738 | BCR12PM | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253739 | BCR12PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253740 | BCR12PM-12 | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253741 | BCR12PM-12L | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253742 | BCR12PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253743 | BCR12PM-14 | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253744 | BCR12PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253745 | BCR12PM-8 | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253746 | BCR12PM-8L | Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253747 | BCR12UM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253748 | BCR133 | Transistores Digital - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253749 | BCR133 | Transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor) | Siemens |
| 253750 | BCR133F | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tsfp-3 | Infineon |
| 253751 | BCR133FE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253752 | BCR133L3 | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tslp-3 | Infineon |
| 253753 | BCR133L3E6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253754 | BCR133S | Transistores Digital - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SOT363 | Infineon |
| 253755 | BCR133S | Arsenal del transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor) | Siemens |
| 253756 | BCR133T | Transistores Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253757 | BCR133U | Transistores Digital - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SC74 | Infineon |
| 253758 | BCR133W | Transistores Digital - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253759 | BCR133W | Transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor) | Siemens |
| 253760 | BCR135 | Transistores Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 47 | Infineon |
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