| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 255881 | BD137 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255882 | BD137 | Mocy del du¿ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 255883 | BD137 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 255884 | BD137 | Transistores de energía de NPN | Philips |
| 255885 | BD137 | Transistor Medio Plástico Del Silicio NPN De la Energía | Motorola |
| 255886 | BD137 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 255887 | BD137 | Energía 1.Ä 60V NPN | ON Semiconductor |
| 255888 | BD137 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD138 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255889 | BD137 | HFE min 40 Polaridad del transistor NPN Ic Corriente continua máx 1 A Voltaje VCEO 60 V Ic actual (HFE) 0.15 A Potencia Ptot 12,5 W de potencia Temperatura 25? C número de transistores 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 255890 | BD137-10 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 255891 | BD137-10 | Transistores de energía de NPN | Philips |
| 255892 | BD137-10 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD138-10 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255893 | BD137-16 | Transistores de energía de NPN | Philips |
| 255894 | BD137-16 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD138-16 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255895 | BD137-25 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD138-25 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255896 | BD137-6 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 255897 | BD137-6 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complementaria BD138-6 | Continental Device India Limited |
| 255898 | BD13710S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255899 | BD13710STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255900 | BD13716S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255901 | BD13716STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255902 | BD1376S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255903 | BD1376STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255904 | BD138 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255905 | BD138 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | ST Microelectronics |
| 255906 | BD138 | Mocy del du¿ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 255907 | BD138 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 255908 | BD138 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 255909 | BD138 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 255910 | BD138 | Transistores de energía de PNP | Philips |
| 255911 | BD138 | Transistor Medio Plástico Del Silicio PNP De la Energía | Motorola |
| 255912 | BD138 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 255913 | BD138 | Energía 1.Ä 60V PNP | ON Semiconductor |
| 255914 | BD138 | 12.500W de conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD137 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255915 | BD138-10 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 255916 | BD138-10 | Transistores de energía de PNP | Philips |
| 255917 | BD138-10 | 12.500W de conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD137-10 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255918 | BD138-16 | Transistores de energía de PNP | Philips |
| 255919 | BD138-16 | 12.500W de conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD137-16 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255920 | BD138-25 | 12.500W de conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD137-25 Complementaria | Continental Device India Limited |
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