Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
255921 | BD138-6 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
255922 | BD138-6 | 12.500W de conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complementaria BD137-6 | Continental Device India Limited |
255923 | BD13810S | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
255924 | BD13810STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
255925 | BD13816S | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
255926 | BD13816STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
255927 | BD1386S | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
255928 | BD1386STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
255929 | BD139 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
255930 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | ST Microelectronics |
255931 | BD139 | Mocy del du¿ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
255932 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
255933 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
255934 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
255935 | BD139 | Transistores de energía de NPN | Philips |
255936 | BD139 | Transistor Medio Plástico Del Silicio NPN De la Energía | Motorola |
255937 | BD139 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
255938 | BD139 | Energía 1.Ä 80V NPN | ON Semiconductor |
255939 | BD139 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD140 Complementaria | Continental Device India Limited |
255940 | BD139-10 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
255941 | BD139-10 | Transistores de energía de NPN | Philips |
255942 | BD139-10 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | ST Microelectronics |
255943 | BD139-10 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD140-10 Complementaria | Continental Device India Limited |
255944 | BD139-16 | Transistores de energía de NPN | Philips |
255945 | BD139-16 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | ST Microelectronics |
255946 | BD139-16 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD140-16 Complementaria | Continental Device India Limited |
255947 | BD139-25 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD140-25 Complementaria | Continental Device India Limited |
255948 | BD139-6 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
255949 | BD139-6 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complementaria BD140-6 | Continental Device India Limited |
255950 | BD13910S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
255951 | BD13910STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
255952 | BD13916S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
255953 | BD13916STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
255954 | BD1396S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
255955 | BD1396STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
255956 | BD140 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
255957 | BD140 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | ST Microelectronics |
255958 | BD140 | Mocy del du¿ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
255959 | BD140 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
255960 | BD140 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |