| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568521 | IRF7325TR | -12V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568522 | IRF7326D2 | -30V FETKY - diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568523 | IRF7326D2TR | -30V FETKY - diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568524 | IRF7328 | -30V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568525 | IRF7328TR | -30V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568526 | IRF7329 | -12V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568527 | IRF733 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568528 | IRF733 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
| 568529 | IRF7331 | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568530 | IRF7331PBF | Mosfet De la Energía de HEXFET | International Rectifier |
| 568531 | IRF7331PBF | Mosfet De la Energía de HEXFET | International Rectifier |
| 568532 | IRF7331TR | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568533 | IRF7335D1 | 30V FETKY - diodo dual del MOSFET y de Schottky en un paquete So-14 | International Rectifier |
| 568534 | IRF7335D1TR | 30V FETKY - diodo dual del MOSFET y de Schottky en un paquete So-14 | International Rectifier |
| 568535 | IRF7338 | 12V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568536 | IRF7338TR | 12V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568537 | IRF734 | 450V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568538 | IRF7341 | 55V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568539 | IRF7341(N) | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568540 | IRF7341Q | 55V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568541 | IRF7341QTR | 55V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568542 | IRF7341TR | 55V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568543 | IRF7342 | -55V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568544 | IRF7342(P) | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568545 | IRF7342D2 | -55V FETKY - diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568546 | IRF7342D2TR | -55V FETKY - diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568547 | IRF7342TR | -55V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568548 | IRF7343 | 55V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568549 | IRF7343(N) | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568550 | IRF7343(P) | 55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete SO-8 | International Rectifier |
| 568551 | IRF7343TR | 55V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568552 | IRF7350 | 100V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568553 | IRF7350(N) | 100V escogen el MOSFET en doble canal de la energía de HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568554 | IRF7350(P) | -100V escogen el MOSFET en doble canal de la energía de HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568555 | IRF7350TR | 100V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568556 | IRF7353D1 | 30V FETKY - Diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete SO-8 | International Rectifier |
| 568557 | IRF7353D1TR | 30V FETKY - Diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete SO-8 | International Rectifier |
| 568558 | IRF7353D2 | 30V FETKY - Diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete SO-8 | International Rectifier |
| 568559 | IRF7353D2TR | 30V FETKY - Diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete SO-8 | International Rectifier |
| 568560 | IRF7379 | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| | | |
