Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
568441 | IRF722 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
568442 | IRF722 | MOSFET de canal N, 400V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
568443 | IRF7220 | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568444 | IRF7220PBF | Mosfet De la Energía de HEXFET | International Rectifier |
568445 | IRF7220PBF | Mosfet De la Energía de HEXFET | International Rectifier |
568446 | IRF7220TR | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568447 | IRF722F1 | Canal N MOSFET, 400V, 2A | SGS Thomson Microelectronics |
568448 | IRF723 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
568449 | IRF723 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
568450 | IRF723 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
568451 | IRF723 | MOSFET de canal N, 350V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
568452 | IRF7233 | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568453 | IRF7233 | Regulador Termoeléctrico Del Refrigerador | Analog Devices |
568454 | IRF7233PBF | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568455 | IRF7233TR | -12V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568456 | IRF723F1 | Canal N MOSFET, 350V, 2A | SGS Thomson Microelectronics |
568457 | IRF7240 | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568458 | IRF7240TR | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568459 | IRF7241 | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568460 | IRF7241TR | -40V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568461 | IRF730 | 5.Ä, 400V, 1,000 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568462 | IRF730 | N-canal 400V - 0,75 OHMIOS - 5.Ä - Mosfet De To-220 POWERMESH II | ST Microelectronics |
568463 | IRF730 | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568464 | IRF730 | N - CANAL 400V - 0,75 W - 5.Ä - Mosfet De To-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
568465 | IRF730 | Energía de la avalancha del transistor de PowerMOS clasificada | Philips |
568466 | IRF730 | Mosfet De la Energía De 5.Ä/De 400V/1,000 Ohmios/N-Canal | Intersil |
568467 | IRF730 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
568468 | IRF7301 | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568469 | IRF7301TR | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568470 | IRF7303 | 30V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568471 | IRF7303TR | 30V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568472 | IRF7304 | -20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568473 | IRF7304TR | -20V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568474 | IRF7306 | -30V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568475 | IRF7306TR | -30V se doblan MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
568476 | IRF7307 | 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
568477 | IRF7307TR | 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
568478 | IRF7309 | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
568479 | IRF7309PBF | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
568480 | IRF7309TR | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| | | |