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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
598761	K4D553238F-JC2A	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598762	K4D553238F-JC33	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598763	K4D553238F-JC36	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598764	K4D553238F-JC40	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598765	K4D553238F-JC50	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598766	K4D623237	512K x 32Bit x 4 bancos doblan la hoja de datos síncrona de la COPITA de la tarifa de datos	Samsung Electronic
598767	K4D623238B-G(Q)C	512K x 32Bit x 4 bancos doblan datos ampliados wi síncrono del ESPOLÓN de la tarifa de datos fuera de la hoja de datos	Samsung Electronic
598768	K4D623238B-GC	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598769	K4D623238B-GC/L33	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598770	K4D623238B-GC/L40	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598771	K4D623238B-GC/L45	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598772	K4D623238B-GC/L50	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598773	K4D623238B-GC/L55	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598774	K4D623238B-GC/L60	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598775	K4D64163HF	el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos	Samsung Electronic
598776	K4D64163HF-TC33	el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos	Samsung Electronic
598777	K4D64163HF-TC36	el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos	Samsung Electronic
598778	K4D64163HF-TC40	el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos	Samsung Electronic
598779	K4D64163HF-TC50	el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos	Samsung Electronic
598780	K4D64163HF-TC60	el 1M x 16Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos	Samsung Electronic

598781	K4E151611	ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
598782	K4E151611D	ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
598783	K4E151611D-J	1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización.	Samsung Electronic
598784	K4E151611D-T	1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización.	Samsung Electronic
598785	K4E151612D	ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
598786	K4E151612D-J	1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 1K.	Samsung Electronic
598787	K4E151612D-T	1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 1K.	Samsung Electronic
598788	K4E16(7)0411(2)D	ESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datos	Samsung Electronic
598789	K4E16(7)0811(2)D	ESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datos	Samsung Electronic
598790	K4E160411D	ESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
598791	K4E160411D-B	4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.	Samsung Electronic
598792	K4E160411D-F	4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.	Samsung Electronic
598793	K4E160412D	ESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
598794	K4E160412D-B	4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.	Samsung Electronic
598795	K4E160412D-F	4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.	Samsung Electronic
598796	K4E160811D	ESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
598797	K4E160811D-B	2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.	Samsung Electronic
598798	K4E160811D-F	2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.	Samsung Electronic
598799	K4E160812D	ESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
598800	K4E160812D-B	2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.	Samsung Electronic

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