Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
598921 | K4E661612B | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598922 | K4E661612B-L | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598923 | K4E661612B-TC | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598924 | K4E661612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
598925 | K4E661612B-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
598926 | K4E661612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
598927 | K4E661612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, de baja potencia | Samsung Electronic |
598928 | K4E661612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potencia | Samsung Electronic |
598929 | K4E661612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, de baja potencia | Samsung Electronic |
598930 | K4E661612C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598931 | K4E661612C-45 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598932 | K4E661612C-50 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598933 | K4E661612C-60 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598934 | K4E661612C-L | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598935 | K4E661612C-L45 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598936 | K4E661612C-L50 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598937 | K4E661612C-L60 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598938 | K4E661612C-T | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598939 | K4E661612C-T45 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598940 | K4E661612C-T50 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598941 | K4E661612C-T60 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598942 | K4E661612C-TC | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598943 | K4E661612C-TC45 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598944 | K4E661612C-TC50 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598945 | K4E661612C-TC60 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598946 | K4E661612C-TL45 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598947 | K4E661612C-TL50 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598948 | K4E661612C-TL60 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
598949 | K4E661612D | COPITA DEL CMOS | Samsung Electronic |
598950 | K4E661612D, K4E641612D | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datos | Samsung Electronic |
598951 | K4E661612D, K4E641612D | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datos | Samsung Electronic |
598952 | K4E661612E, K4E641612E | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datos | Samsung Electronic |
598953 | K4E661612E, K4E641612E | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datos | Samsung Electronic |
598954 | K4EB-110V-1 | K-relay. Relé de diseño único. 4 forma C tensión de la bobina de 110 V CC. Plug-in y soldadura. Relé sensible Ordinaria. Ámbar sellado tipo. | Matsushita Electric Works(Nais) |
598955 | K4EBP-110V-1 | K-relay. Relé de diseño único. 4 forma C tensión de la bobina de 110 V CC. Terminal de placa de circuito impreso. Relé sensible Ordinaria. Ámbar sellado tipo. | Matsushita Electric Works(Nais) |
598956 | K4F151611 | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
598957 | K4F151611D | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
598958 | K4F151611D-J | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598959 | K4F151611D-T | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
598960 | K4F151612D | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
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