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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
889561MMBD914LT1Diodo De alta velocidad De la ConmutaciónLeshan Radio Company
889562MMBD914LT1Diodo De alta velocidad De la ConmutaciónMotorola
889563MMBD914LT1Diodo De alta velocidad De la ConmutaciónON Semiconductor
889564MMBD914LT1-DDiodo De alta velocidad De la ConmutaciónON Semiconductor
889565MMBD914LT3Diodo De alta velocidad De la ConmutaciónON Semiconductor
889566MMBD914_D87ZDiodo Ultra Rápido Alto De la ConductanciaFairchild Semiconductor
889567MMBD914_NLDiodo Ultra Rápido Alto De la ConductanciaFairchild Semiconductor
889568MMBF0201Mosfet Del Realce-modo TMOS Del N-canalMotorola
889569MMBF0201NMosfet Del Realce-modo TMOS Del N-canalMotorola
889570MMBF0201NLMAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889571MMBF0201NLT1MAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889572MMBF0201NLT1-DAccione los mAmps del MOSFET 300, 20 voltios de N-Canal Sot-23ON Semiconductor
889573MMBF0201NLT1GMAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889574MMBF0202PLMAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889575MMBF0202PLT1Mosfet Del Realce-modo TMOS Del P-canalMotorola
889576MMBF0202PLT1MAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889577MMBF0202PLT1-DAccione los mAmps del MOSFET 300, 20 voltios de P-Canal Sot-23ON Semiconductor
889578MMBF0202PLT1GMAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889579MMBF102N-Channel RF AmplfiierFairchild Semiconductor



889580MMBF1374T1-DMAmps pequeños del MOSFET 50 de la señal, 30 voltios de N-Canal Sc-70/sot-323ON Semiconductor
889581MMBF170Transistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-CanalNational Semiconductor
889582MMBF170Transistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-CanalFairchild Semiconductor
889583MMBF170MOSFETSDiodes
889584MMBF170-13-FMODO N-canal MEJORA MOSFETDiodes
889585MMBF170-7-FMODO N-canal MEJORA MOSFETDiodes
889586MMBF170LMAmps del MOSFET 500 de la energía, 60 voltiosON Semiconductor
889587MMBF170LT1Transistor del Fet de TMOSMotorola
889588MMBF170LT1MAmps del MOSFET 500 de la energía, 60 voltiosON Semiconductor
889589MMBF170LT1-DAccione los mAmps del MOSFET 500, 60 voltios de N-Canal Sot-23ON Semiconductor
889590MMBF170LT1GMAmps del MOSFET 500 de la energía, 60 voltiosON Semiconductor
889591MMBF170LT3MAmps del MOSFET 500 de la energía, 60 voltiosON Semiconductor
889592MMBF170LT3GMAmps del MOSFET 500 de la energía, 60 voltiosON Semiconductor
889593MMBF170QMODO N-canal MEJORA MOSFETDiodes
889594MMBF170WN-canal del MODO del REALCE transistor de efecto campoDiodes
889595MMBF170_NLN - Transistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del CanalFairchild Semiconductor
889596MMBF2201NMAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889597MMBF2201NT1Mosfet Del Realce-modo TMOS Del N-canalMotorola
889598MMBF2201NT1MAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
889599MMBF2201NT1-DAccione los mAmps del MOSFET 300, 20 voltios de N-Canal Sc-70/sot-323ON Semiconductor
889600MMBF2201NT1GMAmps del MOSFET 300 de la energía, 20 voltiosON Semiconductor
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