Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
889761 | MMBT1010LT1 | Voltaje Bajo De la Saturación | Leshan Radio Company |
889762 | MMBT1010LT1 | MONTAJE DE FINES GENERALES DE LA SUPERFICIE DE LOS TRANSISTORES DE CONDUCTOR DE PNP | Motorola |
889763 | MMBT1010LT1 | Transistores del conductor de baja tensión de saturación del silicio de PNP | ON Semiconductor |
889764 | MMBT1010LT1-D | Transistores De Conductor Bajos Del Silicio Del Voltaje PNP De la Saturación | ON Semiconductor |
889765 | MMBT1010T1 | MONTAJE DE FINES GENERALES DE LA SUPERFICIE DE LOS TRANSISTORES DE CONDUCTOR DE PNP | ON Semiconductor |
889766 | MMBT1015 | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
889767 | MMBT123S | Transistores Bipolares | Diodes |
889768 | MMBT123S-7 | TRANSISTOR DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DEL ÇA NPN | Diodes |
889769 | MMBT123S-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
889770 | MMBT1815 | Mini tamaño de los elementos discretos del semiconductor | SINYORK |
889771 | MMBT200 | Amplificador De los Fines generales de PNP | National Semiconductor |
889772 | MMBT200 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
889773 | MMBT200A | Amplificador De los Fines generales de PNP | National Semiconductor |
889774 | MMBT200A | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
889775 | MMBT2131 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
889776 | MMBT2131T1 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
889777 | MMBT2131T1-D | Transistor De Ensambladura Bipolar De fines generales De los Transistores PNP (Dispositivo Complementario de NPN: NOTA MMBT2132T1/T3: El voltaje y la corriente son negativos para el transistor de PNP. | ON Semiconductor |
889778 | MMBT2131T3 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
889779 | MMBT2132 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
889780 | MMBT2132T1 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
889781 | MMBT2132T1-D | Transistor De Ensambladura Bipolar De fines generales De los Transistores NPN (Dispositivo Complementario de PNP: MMBT2131T1/T3) | ON Semiconductor |
889782 | MMBT2132T3 | Transistor De Ensambladura Bipolar | ON Semiconductor |
889783 | MMBT2222 | Transistor de la conmutación de NPN | Philips |
889784 | MMBT2222 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
889785 | MMBT2222 | NPN transistor de silicio. | Motorola |
889786 | MMBT2222 | 60 V, 600 mA, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
889787 | MMBT2222A | Transistor de la conmutación de NPN | Philips |
889788 | MMBT2222A | Amplificador De los Fines generales de NPN | National Semiconductor |
889789 | MMBT2222A | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
889790 | MMBT2222A | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | ST Microelectronics |
889791 | MMBT2222A | Transistor Pequeño De la Señal (NPN) | Vishay |
889792 | MMBT2222A | Transistor de NPN | Microsemi |
889793 | MMBT2222A | Transistores Bipolares | Diodes |
889794 | MMBT2222A | Transistor Pequeño De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
889795 | MMBT2222A | Transistor Pequeño De la Señal (NPN) | Comchip Technology |
889796 | MMBT2222A | Amplificador De los Fines generales de NPN | Micro Commercial Components |
889797 | MMBT2222A | Transistor De la Conmutación Del Silicio de NPN | Infineon |
889798 | MMBT2222A | SILICIO DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR NPN | Zowie Technology Corporation |
889799 | MMBT2222A | NPN transistor de conmutación | NXP Semiconductors |
889800 | MMBT2222A | Vce = 10V transistor | MCC |
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