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IRF122 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 28A actual. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF120, IRF123, IRF121, |
Transferencia Directa IRF122 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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8.0A y 9.À/80V y 100V/0,27 y 0,36 ohmios/mOSFETs del N-Canal/de la energía | Transferencia Directa IRF122 datasheet de Intersil |
pdf 72 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF122 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
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Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 V Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF120-123, IRF523, IRF522, IRF521, |
Transferencia Directa IRF122 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 171 kb |
IRF121 | Vista IRF122 a nuestro catálogo | IRF123 |