|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 14181 | 14182 | 14183 | 14184 | 14185 | 14186 | 14187 | 14188 | 14189 | 14190 | 14191 | >>
Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
567401IRF1010NSTRR55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567402IRF1010Z55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567403IRF1010ZL55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567404IRF1010ZS55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567405IRF110440V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567406IRF1104L40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567407IRF1104PBF40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567408IRF1104S40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567409IRF1104STRL40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567410IRF1104STRR40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567411IRF120Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 VFairchild Semiconductor
567412IRF1208.0A y 9.À/80V y 100V/0,27 y 0,36 ohmios/mOSFETs del N-Canal/de la energíaIntersil
567413IRF120MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567414IRF120N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 32 A de corriente.General Electric Solid State
567415IRF120-123Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 VFairchild Semiconductor
567416IRF121Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 VFairchild Semiconductor
567417IRF1218.0A y 9.À/80V y 100V/0,27 y 0,36 ohmios/mOSFETs del N-Canal/de la energíaIntersil
567418IRF121MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567419IRF121N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 32 A de corriente.General Electric Solid State



567420IRF122Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 VFairchild Semiconductor
567421IRF1228.0A y 9.À/80V y 100V/0,27 y 0,36 ohmios/mOSFETs del N-Canal/de la energíaIntersil
567422IRF122MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567423IRF122N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 28A actual.General Electric Solid State
567424IRF123Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 VFairchild Semiconductor
567425IRF1238.0A y 9.À/80V y 100V/0,27 y 0,36 ohmios/mOSFETs del N-Canal/de la energíaIntersil
567426IRF123MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567427IRF123N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 28A actual.General Electric Solid State
567428IRF130100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âaInternational Rectifier
567429IRF130Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSemeLAB
567430IRF130Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 VFairchild Semiconductor
567431IRF130Mosfet De la Energía Del 1Â/100V/0,160 Ohmios/N-CanalIntersil
567432IRF130MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567433IRF130N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 56A actual.General Electric Solid State
567434IRF130-133Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 VFairchild Semiconductor
567435IRF130220V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567436IRF1302L20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567437IRF1302S20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567438IRF130SMDMosfet de la ENERGÍA Del N-canal PARA LOS USOS de HI.RELSemeLAB
567439IRF131Energía Del N-Canal A MOSFETs/20/60-100 VFairchild Semiconductor
567440IRF131MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 14181 | 14182 | 14183 | 14184 | 14185 | 14186 | 14187 | 14188 | 14189 | 14190 | 14191 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com