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| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
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| IRF730 Fabricado cerca: | 
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 | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF730PBF, |
Transferencia Directa IRF730 datasheet de International Rectifier |
pdf 184 kb |
 | N - CANAL 400V - 0,75 W - 5.Ä - Mosfet De To-220 PowerMESH | Transferencia Directa IRF730 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 98 kb |
 | Energía de la avalancha del transistor de PowerMOS clasificada | Transferencia Directa IRF730 datasheet de Philips |
pdf 63 kb |
 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF733, IRF732, IRF731, |
Transferencia Directa IRF730 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
 | N-canal 400V - 0,75 OHMIOS - 5.Ä - Mosfet De To-220 POWERMESH II | Transferencia Directa IRF730 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 250 kb |
 | Mosfet De la Energía De 5.Ä/De 400V/1,000 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF730 datasheet de Intersil |
pdf 59 kb |
 | 5.Ä, 400V, 1,000 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa IRF730 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
| IRF7241TR | Vista IRF730 a nuestro catálogo | IRF7301 |