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IRFF112 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 3.0A actual. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRFF110, IRFF111, IRFF113, |
Transferencia Directa IRFF112 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
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