No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
249641 | BC214 | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
249642 | BC214 | Alimentazione Di Mezzo Di Processo 63 PNP | Fairchild Semiconductor |
249643 | BC214 | Amplificatore Transistor PNP | ON Semiconductor |
249644 | BC214B | Scopo 0.350W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 30V, 0.100A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
249645 | BC214C | Scopo 0.350W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 30V, 0.100A Ic, 100 - 600 hFE | Continental Device India Limited |
249646 | BC214L | AMPLIFICATORI E DRIVER DEL SEGNALE DI AF DEL SILICONE PICCOLI | Micro Electronics |
249647 | BC214L | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
249648 | BC214LB | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
249649 | BC214LB_L34Z | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
249650 | BC214LC | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
249651 | BC214L_D26Z | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
249652 | BC214L_L34Z | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
249653 | BC214RL1 | Amplificatore Transistor PNP | ON Semiconductor |
249654 | BC237 | Applicazioni dell'amplificatore e di commutazione | Fairchild Semiconductor |
249655 | BC237 | Transistore Per tutti gli usi | Korea Electronics (KEC) |
249656 | BC237 | Tranzystor krzemowy malej mocy, malej czestotliwosci | Ultra CEMI |
249657 | BC237 | Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy | Ultra CEMI |
249658 | BC237 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
249659 | BC237 | Transistori di uso generale di NPN | Philips |
249660 | BC237 | Transistori Dell'Amplificatore | Motorola |
249661 | BC237 | Silicone NPN Del Transistore | ON Semiconductor |
249662 | BC237 | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
249663 | BC237 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = 50V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 45V. Emettitore-base Vebo = 6V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = 100 | USHA India LTD |
249664 | BC237-D | Silicone Dei Transistori NPN Dell'Amplificatore | ON Semiconductor |
249665 | BC237A | Transistori Dell'Amplificatore | Motorola |
249666 | BC237A | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
249667 | BC237A | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
249668 | BC237A | Amplificatore Transistor NPN | ON Semiconductor |
249669 | BC237ABU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
249670 | BC237ATA | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
249671 | BC237AZL1 | Amplificatore Transistor NPN | ON Semiconductor |
249672 | BC237B | Transistori di uso generale di NPN | Philips |
249673 | BC237B | Transistori Dell'Amplificatore | Motorola |
249674 | BC237B | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
249675 | BC237B | Silicone NPN Del Transistore | ON Semiconductor |
249676 | BC237B | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
249677 | BC237BBU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
249678 | BC237BRL1 | Silicone NPN Del Transistore | ON Semiconductor |
249679 | BC237BTA | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
249680 | BC237BTAR | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
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