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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
249721BC239TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPNMicro Electronics
249722BC239Transistori Dell'AmplificatoreMotorola
249723BC239Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249724BC239Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = 30V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 25V. Emettitore-base Vebo = 6V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = 100USHA India LTD
249725BC239ABUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
249726BC239ATATransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
249727BC239BScopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited
249728BC239BBUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
249729BC239BTATransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
249730BC239CTransistori Dell'AmplificatoreMotorola
249731BC239CSilicone NPN Del TransistoreON Semiconductor
249732BC239CScopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 380 - hFEContinental Device India Limited
249733BC239CBUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
249734BC239CTATransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
249735BC243AALIMENTAZIONE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
249736BC251SILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249737BC251ASILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249738BC251BSILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola



249739BC251CSILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249740BC252SILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249741BC252ASILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249742BC252BSILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249743BC252CSILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249744BC256SILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249745BC256ASILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249746BC256BSILICONE DEI TRANSISTORI PNP DELL'CAmplificatoreMotorola
249747BC257TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPMicro Electronics
249748BC258TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPMicro Electronics
249749BC259TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNPMicro Electronics
249750BC261TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DELL'ALTO DI GUADAGNO DI PNP SILICONE BASSO DI RUMOREMicro Electronics
249751BC262TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DELL'ALTO DI GUADAGNO DI PNP SILICONE BASSO DI RUMOREMicro Electronics
249752BC263TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DELL'ALTO DI GUADAGNO DI PNP SILICONE BASSO DI RUMOREMicro Electronics
249753BC264Transistori Di Effetto Di Campo Della Giunzione Della Manica Di NMicro Electronics
249754BC264Transistori Di Effetto Di Campo Della Giunzione Della Manica Di NPhilips
249755BC264Fet Di NSemeLAB
249756BC27TRANSISTORI SOT23 NPN SILICONE DARLINGTON PLANAREDiodes
249757BC297DRIVER AUDIOST Microelectronics
249758BC297DRIVER AUDIOST Microelectronics
249759BC297V (CES): 50V; V (CEO): 45V; V (EBO): 5V; 1A; driver audioSGS Thomson Microelectronics
249760BC298DRIVER AUDIOST Microelectronics
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