| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 567641 | IRF3007 | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567642 | IRF3007L | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567643 | IRF3007S | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567644 | IRF320 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567645 | IRF320 | 2.Å e 3.Á/350V e 400V/mOSFETs di alimentazione 1,8 e 2,5 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567646 | IRF320 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567647 | IRF320 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567648 | IRF320-323 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567649 | IRF3205 | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567650 | IRF3205L | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567651 | IRF3205LPBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567652 | IRF3205PBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567653 | IRF3205S | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567654 | IRF3205SPBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567655 | IRF3205STRL | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567656 | IRF3205STRR | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567657 | IRF3205VPBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567658 | IRF3205Z | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567659 | IRF3205ZL | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567660 | IRF3205ZLPBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567661 | IRF3205ZPBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567662 | IRF3205ZS | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2Pak | International Rectifier |
| 567663 | IRF3205ZSPBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2Pak | International Rectifier |
| 567664 | IRF321 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567665 | IRF321 | 2.Å e 3.Á/350V e 400V/mOSFETs di alimentazione 1,8 e 2,5 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567666 | IRF321 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567667 | IRF321 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567668 | IRF322 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567669 | IRF322 | 2.Å e 3.Á/350V e 400V/mOSFETs di alimentazione 1,8 e 2,5 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567670 | IRF322 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567671 | IRF322 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567672 | IRF323 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567673 | IRF323 | 2.Å e 3.Á/350V e 400V/mOSFETs di alimentazione 1,8 e 2,5 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567674 | IRF323 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567675 | IRF323 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567676 | IRF330 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
| 567677 | IRF330 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567678 | IRF330 | Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 5.Ä/1,000 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567679 | IRF330 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567680 | IRF330 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
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