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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF423 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF420, IRF421, IRF422, |
Scarica IRF423 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF423 datasheet de Samsung Electronic |
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2.À e 2.Ä/450V e 500V/mOSFETs di alimentazione 3,0 e 4,0 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF423 datasheet de Intersil |
pdf 74 kb |
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Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF823, IRF822, IRF420-423, IRF821, |
Scarica IRF423 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
IRF422 | Vista IRF423 al nostro catalogo | IRF430 |