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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF513 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.5A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF510, IRF511, IRF512, |
Scarica IRF513 datasheet de General Electric Solid State |
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FETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura | Scarica IRF513 datasheet de Supertex Inc |
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MOSFET di potenza a canale N, 80V, 4.9A | Scarica IRF513 datasheet de Harris Semiconductor |
pdf 74 kb |
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Alimentazione A MOSFETs/5,5/60-100V Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF510-513, |
Scarica IRF513 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 156 kb |
IRF512 | Vista IRF513 al nostro catalogo | IRF520 |