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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF611, IRF613, IRF612, 		Scarica IRF610 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
170 kb
Osservare tutti i fogli di dati per IntersilMosfet Di Alimentazione 200V/Di 3.Á/1,500 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF610 datasheet de
Intersil		 pdf
60 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild Semiconductor3.Á, 200V, 1,500 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura Scarica IRF610 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
96 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF610PBF, 		Scarica IRF610 datasheet de
International Rectifier		 pdf
180 kb
IRF5YZ48CMVista IRF610 al nostro catalogoIRF610-613



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