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IRF610 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF611, IRF613, IRF612, |
Téléchargement IRF610 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
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Transistor MOSFET De Puissance De 3.Á/200V/1,500 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRF610 datasheet de Intersil |
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3.Á, 200V, 1,500 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Téléchargement IRF610 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
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200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF610PBF, |
Téléchargement IRF610 datasheet de International Rectifier |
pdf 180 kb |
IRF5YZ48CM | Vue IRF610 à notre catalogue | IRF610-613 |