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Osservare tutti i fogli di dati per IntersilMosfet Di Alimentazione 400V/Di 3.Á/1,800 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF720 datasheet de
Intersil		 pdf
59 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsMOSFET a canale N, 400V, 3.3A

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF721F1, IRF722, IRF721, IRF722F1, IRF723, 		Scarica IRF720 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics		 pdf
344 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier400V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF720PBF, 		Scarica IRF720 datasheet de
International Rectifier		 pdf
177 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.0A. Scarica IRF720 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
170 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF720 datasheet de
Samsung Electronic		 pdf
278 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild Semiconductor3.Á, 400V, 1,800 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura Scarica IRF720 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
96 kb
IRF713Vista IRF720 al nostro catalogoIRF7201



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