| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48801 | 2N6430 | 0.500W Uso Geral NPN metal pode transistor. 200V VCEO, 0.050A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48802 | 2N6431 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48803 | 2N6432 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48804 | 2N6433 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48805 | 2N6436 | PODER TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48806 | 2N6436 | TRANSISTOR DO SILICONE DE HIGH-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48807 | 2N6437 | PODER TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48808 | 2N6437 | TRANSISTOR DO SILICONE DE HIGH-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48809 | 2N6437 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER PNP | ON Semiconductor |
| 48810 | 2N6437-D | Transistor Do Silicone Do Elevado-Poder PNP | ON Semiconductor |
| 48811 | 2N6438 | PODER TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48812 | 2N6438 | TRANSISTOR DO SILICONE DE HIGH-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48813 | 2N6438 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER PNP | ON Semiconductor |
| 48814 | 2N6439 | TRANSISTOR DE PODER | Tyco Electronics |
| 48815 | 2N6439 | 60 W, 225 a 400 megahertz de SILICONE CONTROLADO do TRANSISTOR de PODER NPN de Q. BROADBAND RF | Motorola |
| 48816 | 2N6439 | 60 W, NPN RF potência silicone transistor | MA-Com |
| 48817 | 2N6449 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48818 | 2N6449 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48819 | 2N6450 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48820 | 2N6450 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48821 | 2N6451 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48822 | 2N6452 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48823 | 2N6453 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48824 | 2N6453 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48825 | 2N6454 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48826 | 2N6454 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 48827 | 2N6461 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 48828 | 2N6462 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48829 | 2N6462 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48830 | 2N6463 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 48831 | 2N6464 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48832 | 2N6465 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48833 | 2N6465 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48834 | 2N6466 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48835 | 2N6467 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48836 | 2N6467 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48837 | 2N6467 | Silicon PNP de média potência transistor. -110V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48838 | 2N6468 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
| 48839 | 2N6468 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48840 | 2N6468 | Silicon PNP de média potência transistor. -130V, 40W. | General Electric Solid State |
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