| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48961 | 2N6516 | 0.625W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 300V VCEO, 0.500A Ic, 30 - hFE | Continental Device India Limited |
| 48962 | 2N6516 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 250V = VCEO. Tensão colector-base: 250V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48963 | 2N6517 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN - Transistor De alta tensão | Fairchild Semiconductor |
| 48964 | 2N6517 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE NPN | Zetex Semiconductors |
| 48965 | 2N6517 | Transistor De alta tensão 625mW | Micro Commercial Components |
| 48966 | 2N6517 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48967 | 2N6517 | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 48968 | 2N6517 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 48969 | 2N6517 | 0.625W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 350V VCEO, 0.500A Ic, 20 - hFE | Continental Device India Limited |
| 48970 | 2N6517 | Ic = 500mA, Vce = 10V transistor | MCC |
| 48971 | 2N6517 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: 350V = VCEO. Tensão colector-base: 350V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48972 | 2N6517BU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48973 | 2N6517CBU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48974 | 2N6517CTA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48975 | 2N6517RLRA | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 48976 | 2N6517RLRP | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 48977 | 2N6517TA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48978 | 2N6518 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP - Transistor De alta tensão | Fairchild Semiconductor |
| 48979 | 2N6518 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48980 | 2N6518 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 48981 | 2N6518 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -250V. Tensão colector-base: VCBO = -250V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 48982 | 2N6518BU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48983 | 2N6518TA | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48984 | 2N6519 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP - Transistor De alta tensão | Fairchild Semiconductor |
| 48985 | 2N6519 | Transistor De alta tensão 625mW | Micro Commercial Components |
| 48986 | 2N6519 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48987 | 2N6519 | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 48988 | 2N6519 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 48989 | 2N6519 | 0.625W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 300V VCEO, 0.500A Ic, 30 - hFE | Continental Device India Limited |
| 48990 | 2N6519 | Ic = 500mA, Vce = 10V transistor | MCC |
| 48991 | 2N6519 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -300V. Tensão colector-base: VCBO = -300V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 48992 | 2N6519BU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48993 | 2N6519RLRA | Transistores de Alta Tensão | ON Semiconductor |
| 48994 | 2N6519TA | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48995 | 2N6520 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP - Transistor De alta tensão | Fairchild Semiconductor |
| 48996 | 2N6520 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIO PLANAR DO SILICONE DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 48997 | 2N6520 | Transistor De alta tensão 625mW | Micro Commercial Components |
| 48998 | 2N6520 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48999 | 2N6520 | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 49000 | 2N6520 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
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