Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
568161 | IRF614B | Mosfet Da N-Canaleta 250V | Fairchild Semiconductor |
568162 | IRF614B_FP001 | 250V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF614 & de IRF614A | Fairchild Semiconductor |
568163 | IRF614PBF | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
568164 | IRF614S | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
568165 | IRF6150 | -20V dual MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de 16-Lead FlipFET | International Rectifier |
568166 | IRF6156 | 20V dual MOSFET N-n-Bidirectional do poder de HEXFET em um 6-Lead FlipFET | International Rectifier |
568167 | IRF620 | 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
568168 | IRF620 | PRODUCT:NOT VELHO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
568169 | IRF620 | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
568170 | IRF620 | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
568171 | IRF620 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
568172 | IRF620 | 5.0A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.800 Ohm | Intersil |
568173 | IRF620 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
568174 | IRF620B | Mosfet Da N-Canaleta 200V | Fairchild Semiconductor |
568175 | IRF620B_FP001 | 200V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF620 & de IRF620A | Fairchild Semiconductor |
568176 | IRF620FI | PRODUCT:NOT VELHO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
568177 | IRF620FI | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
568178 | IRF620FI | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
568179 | IRF620PBF | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
568180 | IRF620S | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
568181 | IRF620STRL | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
568182 | IRF620STRR | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
568183 | IRF621 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
568184 | IRF621 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
568185 | IRF6215 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
568186 | IRF6215L | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
568187 | IRF6215PBF | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
568188 | IRF6215S | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
568189 | IRF6215STRL | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
568190 | IRF6215STRR | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
568191 | IRF6216 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
568192 | IRF6216TR | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
568193 | IRF6217 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
568194 | IRF6217TR | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
568195 | IRF6218 | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
568196 | IRF6218L | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
568197 | IRF6218S | -150V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2Pak | International Rectifier |
568198 | IRF622 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
568199 | IRF622 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
568200 | IRF623 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
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