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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
568001IRF530AMOSFET DO PODER DE N-CHANNELFairchild Semiconductor
568002IRF530F1N-canal MOSFET, 100V, 9ASGS Thomson Microelectronics
568003IRF530FIN - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETASGS Thomson Microelectronics
568004IRF530FITRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNELSGS Thomson Microelectronics
568005IRF530FIN - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETAST Microelectronics
568006IRF530FPN - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETASGS Thomson Microelectronics
568007IRF530FPN - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETAST Microelectronics
568008IRF530LPoder MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.11ohm/ Id=17A)International Rectifier
568009IRF530Ntransistor de TrenchMOS(tm) da N-canaletaPhilips
568010IRF530N22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Canaleta, Mosfet Do PoderFairchild Semiconductor
568011IRF530N100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
568012IRF530N22A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.064 OhmIntersil
568013IRF530NL100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262International Rectifier
568014IRF530NLPBF100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262International Rectifier
568015IRF530NPBF100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
568016IRF530NS100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
568017IRF530NSPBF100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
568018IRF530NSTRL100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
568019IRF530NSTRR100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier



568020IRF530PBF100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
568021IRF530S100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
568022IRF530STRL100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
568023IRF530STRR100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
568024IRF531TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DA PORTA DE SILICONE TMOS DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEMotorola
568025IRF531FETs Verticais Do Poder Da Realce-Modalidade DMOS Da N-CanaletaSupertex Inc
568026IRF531MOSFETs/ 20 A 60-100 V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
568027IRF531MOSFETS DO PODER DE N-CHANNELSamsung Electronic
568028IRF531N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 14A.General Electric Solid State
568029IRF531N-canal MOSFET, 80V, 14ASGS Thomson Microelectronics
568030IRF531F1N-canal MOSFET, 80V, 9ASGS Thomson Microelectronics
568031IRF531FITRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De NST Microelectronics
568032IRF531FITRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De NST Microelectronics
568033IRF532TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DA PORTA DE SILICONE TMOS DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEMotorola
568034IRF532MOSFETs/ 20 A 60-100 V Do Poder Da N-CanaletaFairchild Semiconductor
568035IRF532MOSFETS DO PODER DE N-CHANNELSamsung Electronic
568036IRF532N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 12A.General Electric Solid State
568037IRF532N-canal MOSFET, 100V, 12ASGS Thomson Microelectronics
568038IRF532F1N-canal MOSFET, 100V, 8ASGS Thomson Microelectronics
568039IRF532FITRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De NST Microelectronics
568040IRF532FITRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De NST Microelectronics
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