|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SK2880 изготавливается путем: |
450 МВт Ведущий Рамка J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: -50 В Vgdo, 10 мА Ig, от 0,3 до 12 мА Idss. | скачать 2SK2880 лист данных ( datasheet ) от Isahaya Electronics Corporation |
pdf 119 kb |
2SK2879-01 | Посмотреть 2SK2880 в наш каталог | 2SK2881 |