| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1164481 | STD95NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0039 Ома - Mosfet
STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 80A DPAK УЛЬТРА НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1164482 | STD96N3LLH6 | N-канальный 30 В, 0,0037 Ом тип., 80, в DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164483 | STD9N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164484 | STD9N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164485 | STD9N10 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164486 | STD9N10-1 | N-CHANNEL 100V - 0.23 & - ТРАНЗИСТОР
MOSFET 9A DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164487 | STD9N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164488 | STD9N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164489 | STD9N10L | Н - КАНАЛ 100V - 0.22ЈOhm - ТРАНЗИСТОР
Mos СИЛЫ 9A IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164490 | STD9N40M2 | N-канальный 400 В, 0,65 Ом тип., 6 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164491 | STD9N60M2 | N-канальный 600 В, 0,72 Ом тип., 5,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164492 | STD9N65M2 | N-канальный 650 В, 0,79 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164493 | STD9NM40N | N-канальный 400 В, 0,73 Ом тип., 5,6 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK пакет | ST Microelectronics |
| 1164494 | STD9NM50N | N-канальный 500 В, 0,73 Ом, 5 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в DPAK | ST Microelectronics |
| 1164495 | STD9NM60N | N-канальный 600 В, 0,63 Ом, 6,5 DPAK MDmesh (TM) II Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164496 | STDD15 | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164497 | STDD15-04W | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164498 | STDD15-04WFILM | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164499 | STDD15-05W | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164500 | STDD15-05WFILM | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164501 | STDD15-07P | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ ЕМКОСТИ | ST Microelectronics |
| 1164502 | STDD15-07P6 | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ ЕМКОСТИ | ST Microelectronics |
| 1164503 | STDD15-07S | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164504 | STDD15-07SFILM | НИЗКИЙ ДИОД ОБНАРУЖЕНИЯ CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164505 | STDELIV | ПРИКАЗЫВАЯ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ПАКЕТА И ПОСТАВКИ | ST Microelectronics |
| 1164506 | STDELIV | ПРИКАЗЫВАЯ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ПАКЕТА И ПОСТАВКИ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164507 | STDH150 ASIC | Клетки I/O | Samsung Electronic |
| 1164508 | STDH150 ASIC | Клетки Ip I/O | Samsung Electronic |
| 1164509 | STDH150 ASIC | Примитивные Защелки | Samsung Electronic |
| 1164510 | STDH150 ASIC | Высокие Памяти Плотности | Samsung Electronic |
| 1164511 | STDH150 ASIC | Примитивное Flip/Flops | Samsung Electronic |
| 1164512 | STDH150 ASIC | Примитивные Клетки Логики | Samsung Electronic |
| 1164513 | STDH150 ASIC | Максимальное Fanouts | Samsung Electronic |
| 1164514 | STDH150 ASIC | Примитивный Обзор | Samsung Electronic |
| 1164515 | STDH150 ASIC | Примитивные Miscellanies | Samsung Electronic |
| 1164516 | STDH150 ASIC | Входной сигнал/Ые Клетки | Samsung Electronic |
| 1164517 | STDH150 ASIC | Характеристики | Samsung Electronic |
| 1164518 | STDH150 ASIC | Введение | Samsung Electronic |
| 1164519 | STDH150 ASIC | Брошюра STDH150 | Samsung Electronic |
| 1164520 | STDH150 ASIC | Возможности Пакета | Samsung Electronic |
| | | |
