|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | 29118 | 29119 | 29120 | 29121 | 29122 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1164641STE139N65M5N-канальный 650 В, 0,014 Ом тип., 130, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в Изотоп пакетаST Microelectronics
1164642STE140NF20DN-канальный 200 В, 10 мОм тип., 140 STripFET (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в Изотоп пакетаST Microelectronics
1164643STE145N65M5N-канальный 650 В, 0,012 Ом тип., 143, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в Изотоп пакетаST Microelectronics
1164644STE15NA100ТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL БЫСТРЫЙST Microelectronics
1164645STE15NA100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, БЫСТРЫЙ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1164646STE180N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1164647STE180N10Н - КАНАЛ 100V - mOhm 5.5 - 180A - mosfet СИЛЫ ISOTOPSGS Thomson Microelectronics
1164648STE180N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164649STE180NE10N-CHANNEL 100V - 4.5 MOSFET СИЛЫ MOHM -180A ISOTOP STRIPFETST Microelectronics
1164650STE180NE10N-CHANNEL 100V - mOhm 4.5 - mosfet СИЛЫ 180A ISOTOP STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164651STE180NE10N-CHANNEL 100V - 4.5 MOSFET СИЛЫ MOHM -180A ISOTOP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1164652STE200065 Х 128 ОДИНОЧНЫХ РЕГУЛЯТОРОВ/ВОДИТЕЛЬ Lcd ОБЛОМОКАSGS Thomson Microelectronics
1164653STE200165 Х 128 ОДИНОЧНЫХ РЕГУЛЯТОРОВ/ВОДИТЕЛЬ Lcd ОБЛОМОКАSGS Thomson Microelectronics
1164654STE200281 Х 128 ОДИНОЧНЫЙ ОБЛОМОК Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164655STE2002DIE181 Х 128 ОДИНОЧНЫЙ ОБЛОМОК Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164656STE2002DIE181 X 128 одной микросхеме контроллер ЖКИ / ВОДИТЕЛЬSGS Thomson Microelectronics
1164657STE2002DIE281 Х 128 ОДИНОЧНЫЙ ОБЛОМОК Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164658STE2002DIE281 X 128 одной микросхеме контроллер ЖКИ / ВОДИТЕЛЬSGS Thomson Microelectronics
1164659STE2004102 Х 65 ОДИНОЧНЫЙ ОБЛОМОК Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164660STE2004DIE2102 Х 65 ОДИНОЧНЫЙ ОБЛОМОК Lcd CONTROLLER/DRIVERST Microelectronics
1164661STE24NA100Н - КАНАЛ 1000V - 0.35W - 24ЈA - ISOTOP, БЫСТРЫЙ Mosfet СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1164662STE250N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА В ПАКЕТЕ ISOTOPST Microelectronics
1164663STE250N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА В ПАКЕТЕ ISOTOPST Microelectronics
1164664STE250N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА В ПАКЕТЕ ISOTOPST Microelectronics
1164665STE250N06Длина / Высота 12,2 мм Ширина 25,4 мм Глубина 38 мм рассеиваемая мощность 450 Вт Транзистор полярности N Channel центров крепежных 31,6 мм ТекущSGS Thomson Microelectronics
1164666STE250NS10N-CHANNEL 100V - 0.0045 ОМА - MOSFET СИЛЫ 220A ISOTOP STRIPFETST Microelectronics
1164667STE250NS10N-CHANNEL 100V - 0.0045 ОМА - MOSFET СИЛЫ 220A ISOTOP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1164668STE26N50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА В ПАКЕТЕ ISOTOPST Microelectronics
1164669STE26N50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА В ПАКЕТЕ ISOTOPST Microelectronics
1164670STE26N50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА В ПАКЕТЕ ISOTOPST Microelectronics
1164671STE26NA90Н - КАНАЛ 900V - 0.25 Ома - 26ЈA - ISOTOP ГОЛОДАЮТ Mosfet СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1164672STE26NA90N-CHANNEL 900V - 0.25 ОМА - 26ЈA - ISOTOP ГОЛОДАЮТ MOSFET СИЛЫST Microelectronics
1164673STE30NK90ZN-CHANNEL 900V - 0.25 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A ISOTOP™ ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164674STE34NK80ZN-CHANNEL 800V - 0.20 ОМА - MOSFET СИЛЫ 32ЈA ISOTOP™ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1164675STE36N50Транзистор mos силы режима повышения канала н в пакете IsotopST Microelectronics
1164676STE38NB50MOSFET РЕЖИМА POWERMESH ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNELST Microelectronics
1164677STE38NB50Н - КАНАЛ 500V - 0.11 Ома - 38ЈA - Mosfet ISOTOP PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1164678STE38NB50FN-CHANNEL 500V - 0.11 ОМА - 38ЈA - MOSFET ISOTOP POWERMESHST Microelectronics
1164679STE38NB50FН - КАНАЛ 500V - 0.11 Ома - 38ЈA - Mosfet ISOTOP PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1164680STE400PSTE400P - 4 ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИК ETHERNET ПОРТА 10/100 БЫСТРЫЙ/PHY DATASHEETSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29112 | 29113 | 29114 | 29115 | 29116 | 29117 | 29118 | 29119 | 29120 | 29121 | 29122 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com