| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 567881 | IRF440 | 500V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 567882 | IRF440 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567883 | IRF440 | 8ЈA/ 500V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.850 Омов | Intersil |
| 567884 | IRF440 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567885 | IRF440-443 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567886 | IRF441 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567887 | IRF441 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567888 | IRF441 | 7А и 8А, 450В и 500В, 0.85 и 1.1 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567889 | IRF442 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567890 | IRF442 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567891 | IRF442 | 7А и 8А, 450В и 500В, 0.85 и 1.1 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567892 | IRF443 | MOSFETs/ 8ЈA/ 450 V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567893 | IRF443 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567894 | IRF443 | 7А и 8А, 450В и 500В, 0.85 и 1.1 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567895 | IRF450 | Mosfet Канала Н | Microsemi |
| 567896 | IRF450 | 500V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 567897 | IRF450 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567898 | IRF450 | 13ЈA/ 500V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.400 Омов | Fairchild Semiconductor |
| 567899 | IRF450 | 13ЈA/ 500V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.400 Омов | Intersil |
| 567900 | IRF450 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567901 | IRF450 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 13А. | General Electric Solid State |
| 567902 | IRF451 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567903 | IRF451 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 13А. | General Electric Solid State |
| 567904 | IRF451 | 11А и 13А, 450В и 500В, 0,4 и 0,5 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567905 | IRF452 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567906 | IRF452 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 12А. | General Electric Solid State |
| 567907 | IRF452 | 11А и 13А, 450В и 500В, 0,4 и 0,5 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567908 | IRF453 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567909 | IRF453 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 12А. | General Electric Solid State |
| 567910 | IRF453 | 11А и 13А, 450В и 500В, 0,4 и 0,5 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567911 | IRF460 | 500V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAE | International Rectifier |
| 567912 | IRF460 | MOSFETS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | SemeLAB |
| 567913 | IRF4905 | -55V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567914 | IRF4905L | -55V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567915 | IRF4905PBF | -55V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567916 | IRF4905S | -55V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567917 | IRF4905STRL | -55V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567918 | IRF4905STRL-111 | -55V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567919 | IRF4905STRR | -55V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567920 | IRF500 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| | | |
