Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
567841 | IRF400 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
567842 | IRF4104 | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
автомобильный HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
567843 | IRF4104L | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
567844 | IRF4104S | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
567845 | IRF420 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567846 | IRF420 | 2.2ЈA и 2.5ЈA/ 450V и 500V/
mOSFETs силы Н-Kanala 3.0 и 4.0 омов | Intersil |
567847 | IRF420 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567848 | IRF420 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
567849 | IRF420-423 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567850 | IRF421 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567851 | IRF421 | 2.2ЈA и 2.5ЈA/ 450V и 500V/
mOSFETs силы Н-Kanala 3.0 и 4.0 омов | Intersil |
567852 | IRF421 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567853 | IRF421 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
567854 | IRF422 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567855 | IRF422 | 2.2ЈA и 2.5ЈA/ 450V и 500V/
mOSFETs силы Н-Kanala 3.0 и 4.0 омов | Intersil |
567856 | IRF422 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567857 | IRF422 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
567858 | IRF423 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567859 | IRF423 | 2.2ЈA и 2.5ЈA/ 450V и 500V/
mOSFETs силы Н-Kanala 3.0 и 4.0 омов | Intersil |
567860 | IRF423 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567861 | IRF423 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
567862 | IRF430 | 500V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
567863 | IRF430 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | SemeLAB |
567864 | IRF430 | MOSFETs/ 4.5 A/ 450V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567865 | IRF430 | 4.5ЈA/ 500V/ Mosfet Силы Н-Kanala
1.500 Омов | Intersil |
567866 | IRF430 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567867 | IRF430 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
567868 | IRF430-433 | MOSFETs/ 4.5 A/ 450V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567869 | IRF431 | MOSFETs/ 4.5 A/ 450V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567870 | IRF431 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567871 | IRF431 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
567872 | IRF431 | 4.0A и 4.5A, 450В и 500В, 1.5 и 2.0 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567873 | IRF432 | MOSFETs/ 4.5 A/ 450V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567874 | IRF432 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567875 | IRF432 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
567876 | IRF432 | 4.0A и 4.5A, 450В и 500В, 1.5 и 2.0 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
567877 | IRF433 | MOSFETs/ 4.5 A/ 450V/500V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
567878 | IRF433 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
567879 | IRF433 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
567880 | IRF433 | 4.0A и 4.5A, 450В и 500В, 1.5 и 2.0 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| | | |