| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 253721 | BCR129T | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253722 | BCR129W | AF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SOT323 | Infineon |
| 253723 | BCR129WE6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253724 | BCR12CM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253725 | BCR12CM | Volts Amperes/400-600 Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253726 | BCR12CM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253727 | BCR12CM-12 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253728 | BCR12CM-12L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253729 | BCR12CM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253730 | BCR12CM-8 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253731 | BCR12CM-8L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253732 | BCR12CS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253733 | BCR12CS | TYPE MOYEN DE L'UTILISATION NON-INSULATED DE PUISSANCE,TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
| 253734 | BCR12CS-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253735 | BCR12CS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253736 | BCR12KM-14 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253737 | BCR12PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253738 | BCR12PM | Volts Amperes/400-600 D'isolement Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253739 | BCR12PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253740 | BCR12PM-12 | Volts Amperes/400-600 D'isolement Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253741 | BCR12PM-12L | Volts Amperes/400-600 D'isolement Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253742 | BCR12PM-14 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253743 | BCR12PM-14 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253744 | BCR12PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253745 | BCR12PM-8 | Volts Amperes/400-600 D'isolement Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253746 | BCR12PM-8L | Volts Amperes/400-600 D'isolement Du Triac 12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253747 | BCR12UM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253748 | BCR133 | Transistors de Numérique - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253749 | BCR133 | Transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteur) | Siemens |
| 253750 | BCR133F | AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tsfp-3 | Infineon |
| 253751 | BCR133FE6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253752 | BCR133L3 | AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tslp-3 | Infineon |
| 253753 | BCR133L3E6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253754 | BCR133S | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SOT363 | Infineon |
| 253755 | BCR133S | Rangée de transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteur) | Siemens |
| 253756 | BCR133T | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253757 | BCR133U | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SC74 | Infineon |
| 253758 | BCR133W | Transistors de Numérique - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253759 | BCR133W | Transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteur) | Siemens |
| 253760 | BCR135 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 47 | Infineon |
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