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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
256321BD243ANPN silicium du transistor de puissance plastique. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 60 V cc, 60 V cc Vcb = VEB = 5Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65WUSHA India LTD
256322BD243ATUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256323BD243BTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256324BD243BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256325BD243BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
256326BD243BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256327BD243BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256328BD243BPUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
256329BD243BTRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256330BD243BTransistors De Puissance En plastique De Silicium ComplémentaireMotorola
256331BD243BPuissance à 80V NPNON Semiconductor
256332BD243B65.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE.Continental Device India Limited
256333BD243BSilicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 90V, 65W.General Electric Solid State
256334BD243BUn transistor NPN de puissance NPN plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 80Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65WUSHA India LTD
256335BD243B-DTransistors De Puissance En plastique De Silicium ComplémentaireON Semiconductor
256336BD243BTUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256337BD243CTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256338BD243CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics



256339BD243CTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
256340BD243CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256341BD243CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256342BD243CPUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
256343BD243CTRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256344BD243CTransistors De Puissance En plastique De Silicium ComplémentaireMotorola
256345BD243CPuissance à 100V NPNON Semiconductor
256346BD243C65.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 6.000A Ic, 15 hFE.Continental Device India Limited
256347BD243CSilicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 115V, 65W.General Electric Solid State
256348BD243CUn transistor NPN de puissance NPN plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 100 V CC, 100 V CC = Vcb, Veb = 5Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65WUSHA India LTD
256349BD243TUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256350BD244Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256351BD244TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
256352BD244PUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
256353BD244TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256354BD244TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPTRSYS
256355BD24465.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE.Continental Device India Limited
256356BD244Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -55V, 65W.General Electric Solid State
256357BD24455 V PNP Silicon Power TransistorTRANSYS Electronics Limited
256358BD244ATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256359BD244ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
256360BD244APUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
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