| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 256121 | BD236 | 25.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256122 | BD236 | Transistor de puissance NPN de silicium. 2 A, 60 V, 25 W. | Motorola |
| 256123 | BD236STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256124 | BD237 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256125 | BD237 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 256126 | BD237 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256127 | BD237 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256128 | BD237 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De Puissance | Motorola |
| 256129 | BD237 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256130 | BD237 | Puissance À 80V NPN 25W | ON Semiconductor |
| 256131 | BD237 | 25.000W NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256132 | BD237-D | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De Puissance | ON Semiconductor |
| 256133 | BD237STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256134 | BD238 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256135 | BD238 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 256136 | BD238 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256137 | BD238 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256138 | BD238 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256139 | BD238 | Puissance À 80V PNP 25W | ON Semiconductor |
| 256140 | BD238 | 25.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256141 | BD238 | Transistor moyen plastique puissance de silicium de PNP. 2 A, 80 V, 25 W. | Motorola |
| 256142 | BD238S | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256143 | BD238STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256144 | BD239 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256145 | BD239 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256146 | BD239 | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256147 | BD239 | Transistor de puissance d'électrons Pro | General Electric Solid State |
| 256148 | BD239A | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256149 | BD239A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256150 | BD239A | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256151 | BD239A | Transistor de puissance d'électrons Pro | General Electric Solid State |
| 256152 | BD239ATU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256153 | BD239B | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256154 | BD239B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256155 | BD239B | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256156 | BD239B | Transistor de puissance d'électrons Pro | General Electric Solid State |
| 256157 | BD239BTU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256158 | BD239C | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256159 | BD239C | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | ST Microelectronics |
| 256160 | BD239C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
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