| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 54321 | 2SC3552 | DESCRIPTION Planaire Épitaxiale De Transistor(GENERAL De Silicium) | Wing Shing Computer Components |
| 54322 | 2SC3553 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54323 | 2SC3553 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 54324 | 2SC3554 | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
| 54325 | 2SC3554-T1 | Transistor de silicium | NEC |
| 54326 | 2SC3554-T2 | Transistor de silicium | NEC |
| 54327 | 2SC3559 | 3A; 30W; V (CEO): 800V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
| 54328 | 2SC3560 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
| 54329 | 2SC3561 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
| 54330 | 2SC3562 | 10A; 40W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
| 54331 | 2SC3563 | 10A; 40W; V (CEO): 450V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
| 54332 | 2SC3567 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54333 | 2SC3568 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54334 | 2SC3569 | Transistor de silicium | NEC |
| 54335 | 2SC3571 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54336 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54337 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54338 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54339 | 2SC3576 | HFE élevé de transistor planaire épitaxial de silicium de NPN, applications d'usage universel de basse fréquence d'amplificateur | SANYO |
| 54340 | 2SC3580 | 900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 20V VCEO, 700mA Ic, 150 à 800 hFE. 2SA1398 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 54341 | 2SC3581 | 900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 50V VCEO, 400mA Ic, 90-500 hFE. 2SA1399 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 54342 | 2SC3582 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 54343 | 2SC3582-T | Pour Amplifier micro-ondes et à faible bruit. | NEC |
| 54344 | 2SC3583 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 54345 | 2SC3583-L | Pour Amplifier micro-ondes et à faible bruit. | NEC |
| 54346 | 2SC3583-T1B | Pour Amplifier micro-ondes et à faible bruit. | NEC |
| 54347 | 2SC3583-T2B | Pour Amplifier micro-ondes et à faible bruit. | NEC |
| 54348 | 2SC3585 | BAS SILICIUM TRANSISOR ÉPITAXIAL DE L'CAmplificateur NPN DE BRUIT DE MICRO-onde | NEC |
| 54349 | 2SC3585-L | Pour Amplifier micro-ondes et à faible bruit. | NEC |
| 54350 | 2SC3585-T1B | Pour Amplifier micro-ondes et à faible bruit. | NEC |
| 54351 | 2SC3585-T2B | Pour Amplifier micro-ondes et à faible bruit. | NEC |
| 54352 | 2SC3587 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN POUR L'CAmplification À faible bruit de MICRO-onde | NEC |
| 54353 | 2SC3588 | TRANSISTOR DIFFUS PAR TRIPLE MP-3 DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54354 | 2SC3588-Z | TRANSISTOR DIFFUS PAR TRIPLE MP-3 DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 54355 | 2SC3591 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage À haute définition de Tube | SANYO |
| 54356 | 2SC3595 | Applications Visuelles De Rendement De Silicium de NPN De Transistor D'Ultra-haut-Définition D'Affichage Planaire Épitaxial de Tube | SANYO |
| 54357 | 2SC3596 | Applications Visuelles De Rendement De Silicium de NPN De Transistors D'Affichage Ultra-haut-Difinition Planaire Épitaxial de Tube | SANYO |
| 54358 | 2SC3597 | Applications Visuelles De Rendement De Silicium de NPN De Transistors D'Affichage Ultra-haut-Difinition Planaire Épitaxial de Tube | SANYO |
| 54359 | 2SC3598 | Applications Visuelles De Rendement De Silicium de NPN De Transistors D'Affichage Ultra-haut-Difinition Planaire Épitaxial de Tube | SANYO |
| 54360 | 2SC3599 | Applications Visuelles De Rendement De Silicium de NPN De Transistors D'Affichage Ultra-haut-Difinition Planaire Épitaxial de Tube | SANYO |
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