Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
54401 | 2SC3623A | Transistor de silicium | NEC |
54402 | 2SC3623A(M)-T | Transistor de silicium | NEC |
54403 | 2SC3623A-T | Transistor de silicium | NEC |
54404 | 2SC3623A-T/JM | Transistor de silicium | NEC |
54405 | 2SC3623A/JM | Transistor de silicium | NEC |
54406 | 2SC3624 | AMPLIFICATEUR DE FRÉQUENCE SONORE, MOULE DE CHANGEMENT DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
54407 | 2SC3624-L | Transistor de silicium | NEC |
54408 | 2SC3624-T1B | Transistor de silicium | NEC |
54409 | 2SC3624-T2B | Transistor de silicium | NEC |
54410 | 2SC3624A | AMPLIFICATEUR DE FRÉQUENCE SONORE, MOULE DE CHANGEMENT DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
54411 | 2SC3624A-L | Transistor de silicium | NEC |
54412 | 2SC3624A-T1B | Transistor de silicium | NEC |
54413 | 2SC3624A-T2B | Transistor de silicium | NEC |
54414 | 2SC3625 | 8A; 40W; V (CEO): 400V; Transistor NPN. Pour passer réglementation | TOSHIBA |
54415 | 2SC3628 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
54416 | 2SC3629 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
54417 | 2SC3630 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
54418 | 2SC3631 | Transistor de silicium | NEC |
54419 | 2SC3631-Z | TRANSISTOR DIFFUS PAR TRIPLE MP-3 DE SILICIUM DE NPN | NEC |
54420 | 2SC3632 | Transistor de silicium | NEC |
54421 | 2SC3632-Z | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
54422 | 2SC3632Z | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
54423 | 2SC3632Z | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
54424 | 2SC3636 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définition | SANYO |
54425 | 2SC3637 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définition | SANYO |
54426 | 2SC3638 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définition | SANYO |
54427 | 2SC3642 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage D'Ultra-haut-Définition | SANYO |
54428 | 2SC3643 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage Très À haute définition | SANYO |
54429 | 2SC3644 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage D'Ultra-haut-Définition | SANYO |
54430 | 2SC3645 | Commutation À haute tension De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN, Applications De Predriver | SANYO |
54431 | 2SC3646 | Applications À haute tension De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
54432 | 2SC3647 | Applications À haute tension De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
54433 | 2SC3648 | Commutation À haute tension De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN, Applications De Predriver | SANYO |
54434 | 2SC3649 | Applications À haute tension De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
54435 | 2SC3650 | HFE élevé de transistor planaire épitaxial de silicium de NPN, applications d'usage universel de basse fréquence d'amplificateur | SANYO |
54436 | 2SC3651 | HFE élevé de transistor planaire épitaxial de silicium de NPN, applications d'usage universel de basse fréquence d'amplificateur | SANYO |
54437 | 2SC3651 | High Gain, basse fréquence, General Purpose NPN Transistor Amplifier | ON Semiconductor |
54438 | 2SC3652 | AMPLIFICATEUR À HAUTE FRÉQUENCE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
54439 | 2SC3652 | AMPLIFICATEUR À HAUTE FRÉQUENCE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
54440 | 2SC3657 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
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