| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 56321 | 2SC5503 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN aux applications à large bande à faible bruit À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 56322 | 2SC5504 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN aux applications à faible bruit d'amplificateur de bande de S | SANYO |
| 56323 | 2SC5505 | Dispositif de puissance - transistors de puissance - amplification d'usage universel de puissance | Panasonic |
| 56324 | 2SC5506 | Applications Horizontales De Rendement De Débattement D'Affichage de Tube D'Ultra-haut-Définition | SANYO |
| 56325 | 2SC5507 | Le TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN POUR BAS LE BRUIT COURANT Et BAS, AMPLIFICATION À gain élevé Plat-mènent Des 4-goupilles LÉGÈREMENT SUPERBES Mini-moulent | NEC |
| 56326 | 2SC5507-T2 | Le TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN POUR BAS LE BRUIT COURANT Et BAS, AMPLIFICATION À gain élevé Plat-mènent Des 4-goupilles LÉGÈREMENT SUPERBES Mini-moulent | NEC |
| 56327 | 2SC5508 | Le TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN POUR Le BAS BRUIT, AMPLIFICATION À gain élevé Plat-mènent Des 4-goupilles LÉGÈREMENT SUPERBES Mini-moulent | NEC |
| 56328 | 2SC5508-T2 | Le TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN POUR Le BAS BRUIT, AMPLIFICATION À gain élevé Plat-mènent Des 4-goupilles LÉGÈREMENT SUPERBES Mini-moulent | NEC |
| 56329 | 2SC5513 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56330 | 2SC5514 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56331 | 2SC5515 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56332 | 2SC5516 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56333 | 2SC5517 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56334 | 2SC5518 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56335 | 2SC5519 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56336 | 2SC5521 | Série horizontale de transistor de débattement pour la TV | Panasonic |
| 56337 | 2SC5534 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN à l'amplificateur à faible bruit de bande de S, applications d'cOscillateur | SANYO |
| 56338 | 2SC5536 | Amplificateur À faible bruit de VHF De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications d'cOscillateur | SANYO |
| 56339 | 2SC5537 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN De basse tension, Applications À haute fréquence À faible intensité D'Amplificateur | SANYO |
| 56340 | 2SC5538 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN à l'cOscillateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute, applications à haute fréquence d'amplificateur | SANYO |
| 56341 | 2SC5539 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN aux applications à large bande à faible bruit À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 56342 | 2SC5540 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN à l'amplificateur à faible bruit de bande de S et aux applications d'cOscillateur | SANYO |
| 56343 | 2SC5541 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN aux applications à faible bruit d'amplificateur de bande de S | SANYO |
| 56344 | 2SC5543 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56345 | 2SC5543 | VHF épitaxial du silicium NPN/amplificateur large À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | Hitachi Semiconductor |
| 56346 | 2SC5543 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 56347 | 2SC5544 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56348 | 2SC5544 | VHF épitaxial du silicium NPN/amplificateur large À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | Hitachi Semiconductor |
| 56349 | 2SC5544 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 56350 | 2SC5545 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56351 | 2SC5545 | VHF épitaxial du silicium NPN/amplificateur large À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | Hitachi Semiconductor |
| 56352 | 2SC5545 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 56353 | 2SC5546 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - Television/Display | Panasonic |
| 56354 | 2SC5548 | Le Silicium NPN De Transistor Triplent Des Applications À haute tension Diffuses De Convertisseur De C.c-C.c D'Applications De Régulateur De Commutation D'Applications De Commutation De Type | TOSHIBA |
| 56355 | 2SC5548A | Le Silicium NPN De Transistor Triplent Des Applications À haute tension Diffuses De Convertisseur De C.c-C.c D'Applications De Régulateur De Commutation D'Applications De Commutation De Type | TOSHIBA |
| 56356 | 2SC5549 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. DEMANDE À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION DE SYSTÈME DE D'ÉCLAIRAGE D'CInverseur | TOSHIBA |
| 56357 | 2SC5550 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. DEMANDES À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION DE SYSTÈME DE D'ÉCLAIRAGE D'CInverseur | TOSHIBA |
| 56358 | 2SC5551 | Applications À haute fréquence D'Amplificateur De Milieu-Rendement De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | SANYO |
| 56359 | 2SC5551A | RF Transistor, 30V, 300mA, Ft = 3,5 GHz, NPN PCP unique | ON Semiconductor |
| 56360 | 2SC5552 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - Television/Display | Panasonic |
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