Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
56401 | 2SC5611 | Transistors Planaires Épitaxiaux 60V De Silicium de NPN/Applications À grande vitesse Commutation De Ä | SANYO |
56402 | 2SC5612 | DÉBATTEMENT HORIZONTAL DIFFUS TRIPLE DE TYPE DE MESA DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR PRODUIT POUR LA COULEUR TV | TOSHIBA |
56403 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56404 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
56405 | 2SC5620 | Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial De Sillcon Npn D'Application | Isahaya Electronics Corporation |
56406 | 2SC5620 | Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial De Sillcon Npn D'Application | Isahaya Electronics Corporation |
56407 | 2SC5621 | POUR LA HAUTE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
56408 | 2SC5621 | POUR LA HAUTE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
56409 | 2SC5622 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
56410 | 2SC5623 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
56411 | 2SC5623 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56412 | 2SC5624 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
56413 | 2SC5624 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56414 | 2SC5625 | SILICIUM ÉPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
56415 | 2SC5625 | SILICIUM ÉPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
56416 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56417 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
56418 | 2SC5628 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
56419 | 2SC5628 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56420 | 2SC5629 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
56421 | 2SC5631 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
56422 | 2SC5631 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
56423 | 2SC5632 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autres | Panasonic |
56424 | 2SC5632G | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
56425 | 2SC5636 | POUR LA HAUTE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
56426 | 2SC5636 | POUR LA HAUTE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
56427 | 2SC5637 | Transistors Horizontaux De Commutation De Débattement | SANYO |
56428 | 2SC5638 | Transistors Horizontaux De Commutation De Débattement | SANYO |
56429 | 2SC5639 | Transistors Horizontaux De Commutation De Débattement | SANYO |
56430 | 2SC5645 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN à l'amplificateur à faible bruit de bande de S et aux applications d'cOscillateur | SANYO |
56431 | 2SC5646 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN aux applications à faible bruit d'andOSC d'amplificateur de bande de S | SANYO |
56432 | 2SC5647 | Transistors D'Ultra-haut-Fréquence | SANYO |
56433 | 2SC5648 | Transistors D'Ultra-haut-Fréquence | SANYO |
56434 | 2SC5654 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
56435 | 2SC5654G | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
56436 | 2SC5657 | Silicon NPN triple diffusion mesa type | Panasonic |
56437 | 2SC5658 | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
56438 | 2SC5658-HF | Halogène Transistor gratuit, V CBO = 60V, V PDG = 50V, V EBO = 7V, je C = 150mA | Comchip Technology |
56439 | 2SC5658M3 | NPN General Purpose Amplifier Transistor | ON Semiconductor |
56440 | 2SC5659 | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| | | |