| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567441 | IRF131 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 56A courant. | General Electric Solid State |
| 567442 | IRF131 | 12A et 14A, 80V et 100V, 0,16 et 0,23 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567443 | IRF1310N | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567444 | IRF1310NL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567445 | IRF1310NS | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567446 | IRF1310NSTRL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567447 | IRF1310NSTRR | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567448 | IRF1310S | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567449 | IRF1312 | 80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567450 | IRF1312L | 80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567451 | IRF1312S | 80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567452 | IRF1312STRL | 80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567453 | IRF1312STRR | 80V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567454 | IRF132 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567455 | IRF132 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567456 | IRF132 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 48A courant. | General Electric Solid State |
| 567457 | IRF132 | 12A et 14A, 80V et 100V, 0,16 et 0,23 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567458 | IRF133 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567459 | IRF133 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567460 | IRF133 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 48A courant. | General Electric Solid State |
| 567461 | IRF133 | 12A et 14A, 80V et 100V, 0,16 et 0,23 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567462 | IRF140 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 567463 | IRF140 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567464 | IRF140 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/27/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567465 | IRF140 | Transistor MOSFET De Puissance De 2Å/100V/0,077 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567466 | IRF140 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567467 | IRF140-143 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/27/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567468 | IRF1404 | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567469 | IRF1404L | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567470 | IRF1404LPBF | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567471 | IRF1404PBF | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567472 | IRF1404S | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567473 | IRF1404SPBF | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567474 | IRF1404STRL | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567475 | IRF1404STRR | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567476 | IRF1404Z | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567477 | IRF1404ZL | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567478 | IRF1404ZS | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567479 | IRF1405 | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567480 | IRF1405L | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
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