| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567641 | IRF3007 | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567642 | IRF3007L | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567643 | IRF3007S | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567644 | IRF320 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567645 | IRF320 | 2.Å et 3.Á/350V et 400V/transistors MOSFET de puissance 1,8 et 2,5 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567646 | IRF320 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567647 | IRF320 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567648 | IRF320-323 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567649 | IRF3205 | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567650 | IRF3205L | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567651 | IRF3205LPBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567652 | IRF3205PBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567653 | IRF3205S | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567654 | IRF3205SPBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567655 | IRF3205STRL | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567656 | IRF3205STRR | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567657 | IRF3205VPBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567658 | IRF3205Z | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567659 | IRF3205ZL | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567660 | IRF3205ZLPBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567661 | IRF3205ZPBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567662 | IRF3205ZS | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2Pak | International Rectifier |
| 567663 | IRF3205ZSPBF | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2Pak | International Rectifier |
| 567664 | IRF321 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567665 | IRF321 | 2.Å et 3.Á/350V et 400V/transistors MOSFET de puissance 1,8 et 2,5 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567666 | IRF321 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567667 | IRF321 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567668 | IRF322 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567669 | IRF322 | 2.Å et 3.Á/350V et 400V/transistors MOSFET de puissance 1,8 et 2,5 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567670 | IRF322 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567671 | IRF322 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567672 | IRF323 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567673 | IRF323 | 2.Å et 3.Á/350V et 400V/transistors MOSFET de puissance 1,8 et 2,5 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567674 | IRF323 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567675 | IRF323 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567676 | IRF330 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 567677 | IRF330 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350 V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567678 | IRF330 | Transistor MOSFET De Puissance De 5.Ä/400V/1,000 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567679 | IRF330 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567680 | IRF330 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
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