| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567841 | IRF400 | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567842 | IRF4104 | 40V choisissent le transistor MOSFET des véhicules à moteur de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567843 | IRF4104L | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567844 | IRF4104S | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567845 | IRF420 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567846 | IRF420 | 2.À et 2.Ä/450V et 500V/transistors MOSFET de puissance 3,0 et 4,0 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567847 | IRF420 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567848 | IRF420 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567849 | IRF420-423 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567850 | IRF421 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567851 | IRF421 | 2.À et 2.Ä/450V et 500V/transistors MOSFET de puissance 3,0 et 4,0 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567852 | IRF421 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567853 | IRF421 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567854 | IRF422 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567855 | IRF422 | 2.À et 2.Ä/450V et 500V/transistors MOSFET de puissance 3,0 et 4,0 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567856 | IRF422 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567857 | IRF422 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567858 | IRF423 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567859 | IRF423 | 2.À et 2.Ä/450V et 500V/transistors MOSFET de puissance 3,0 et 4,0 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567860 | IRF423 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567861 | IRF423 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567862 | IRF430 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 567863 | IRF430 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567864 | IRF430 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567865 | IRF430 | Transistor MOSFET De Puissance De 4.Ä/500V/1,500 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567866 | IRF430 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567867 | IRF430 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567868 | IRF430-433 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567869 | IRF431 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567870 | IRF431 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567871 | IRF431 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567872 | IRF431 | 4.0A et 4.5A, 450V et 500V, 1,5 et 2,0 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567873 | IRF432 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567874 | IRF432 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567875 | IRF432 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567876 | IRF432 | 4.0A et 4.5A, 450V et 500V, 1,5 et 2,0 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567877 | IRF433 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567878 | IRF433 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567879 | IRF433 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567880 | IRF433 | 4.0A et 4.5A, 450V et 500V, 1,5 et 2,0 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
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