| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 57801 | 2SD1930 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 57802 | 2SD1931 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 57803 | 2SD1931 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 57804 | 2SD1932 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 57805 | 2SD1932 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 57806 | 2SD1933 | Transistor De Puissance (-80V/-Â) | ROHM |
| 57807 | 2SD1934 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - d'autres | Panasonic |
| 57808 | 2SD1935 | Applications D'usage universel De basse fréquence D'Amplificateur De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
| 57809 | 2SD1936 | Applications Planaires Épitaxiales D'Amplificateur d'Af De Transistors De Silicium de NPN | SANYO |
| 57810 | 2SD1937 | Pour l'amplification de basse fréquence | Panasonic |
| 57811 | 2SD1938 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 57812 | 2SD1938F | Type planaire épitaxial du silicium NPN | Panasonic |
| 57813 | 2SD1938F | Type planaire épitaxial du silicium NPN | Panasonic |
| 57814 | 2SD1939 | TRANSISTOR DU SILICIUM DARLINGTON DE NPN | NEC |
| 57815 | 2SD1939 | TRANSISTOR DU SILICIUM DARLINGTON DE NPN | NEC |
| 57816 | 2SD1940 | Le transistor planaire épitaxial 85V/ã, AF 25 de silicium de NPN à 30W a produit des applications | SANYO |
| 57817 | 2SD1944 | Transistor de puissance à forte intensité de gain (-60V/-Á) | ROHM |
| 57818 | 2SD1947A | COMMUTATION COURANTE ÉLEVÉE DE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR ET LAMPE, APPLICATIONS D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE | TOSHIBA |
| 57819 | 2SD1949 | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 57820 | 2SD1950 | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
| 57821 | 2SD1950-T1 | Transistor de silicium | NEC |
| 57822 | 2SD1950-T2 | Transistor de silicium | NEC |
| 57823 | 2SD1953 | Applications Planaires Épitaxiales De Conducteur Du Transistor 120V/1.ä De Silicium de NPN | SANYO |
| 57824 | 2SD1957 | Puissance Transistor(120V/7A) | ROHM |
| 57825 | 2SD1958 | Applications À forte intensité Diffuses Triples De Commutation Produites Par Débattement Horizontal Planaire Du Transistor TV De Silicium de NPN | SANYO |
| 57826 | 2SD1961 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 57827 | 2SD1961 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 57828 | 2SD1963 | > de transistors; Puissance Moyenne Transistors(0.5W-1.0W) Bipolaire | ROHM |
| 57829 | 2SD1964 | Dispositif de puissance - transistors de puissance - amplification d'usage universel de puissance | Panasonic |
| 57830 | 2SD1966 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 57831 | 2SD1966 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 57832 | 2SD1967 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 57833 | 2SD1967 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 57834 | 2SD1970 | Transistor Du Silicium NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57835 | 2SD1970 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 57836 | 2SD1972 | 2W cadre plomb transistor NPN, note maximale: 60V VCEO, 3A Ic, 250 à 800 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 57837 | 2SD1974 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57838 | 2SD1974 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 57839 | 2SD1974 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 57840 | 2SD1975 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - Pour L'Acoustique | Panasonic |
| | | |
