| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 57961 | 2SD2075A | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION. LAMPE, APPLICATIONS D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE. | TOSHIBA |
| 57962 | 2SD2079 | COMMUTATION DIFFUSE TRIPLE DE PUISSANCE ÉLEVÉE DU TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (DARLINGTON), COMMANDE DE HANNER, APPLICATIONS D'CEntraînement DE MOTEUR D'CImpulsion | TOSHIBA |
| 57963 | 2SD2081 | Transistor Du Silicium NPN | Sanken |
| 57964 | 2SD2082 | Transistor Du Silicium NPN | Sanken |
| 57965 | 2SD2083 | Transistor Du Silicium NPN | Sanken |
| 57966 | 2SD2088 | Commande micro épitaxiale de moteur de type du silicium NPN de transistor (transistor de puissance de Darlington), applications d'entraînement de marteau commutant des applications d'amplificateur de puissance d'applications | TOSHIBA |
| 57967 | 2SD2091 | TRANSISTOR NPN DARLINGTON | ROHM |
| 57968 | 2SD2092 | COMMUTATION ÉPITAXIALE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR, LAMPE, APPLICATIONS D'CEntraînement DE SOLÉNOÏDE. | TOSHIBA |
| 57969 | 2SD2093 | Applications Planaires Diffuses Triples De Conducteur De Transistors De Silicium de NPN | SANYO |
| 57970 | 2SD2095 | 2SD2095 | Unknow |
| 57971 | 2SD2095 | 2SD2095 | Unknow |
| 57972 | 2SD2096 | TRANSISTOR NPN | ROHM |
| 57973 | 2SD2097 | > de transistors; Puissance Moyenne Transistors(0.5W-1.0W) Bipolaire | ROHM |
| 57974 | 2SD2098 | > de transistors; Puissance Moyenne Transistors(0.5W-1.0W) Bipolaire | ROHM |
| 57975 | 2SD2099 | Applications Compactes De Conducteur De Moteur De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
| 57976 | 2SD2100 | Applications Compactes De Conducteur De Moteur De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
| 57977 | 2SD2101 | Transistor Du Silicium NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57978 | 2SD2101 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 57979 | 2SD2101 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57980 | 2SD2102 | PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE DIFFUSE TRIPLE AMFPLIFIERDU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57981 | 2SD2102 | PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE DIFFUSE TRIPLE AMFPLIFIERDU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57982 | 2SD2104 | Transistor Du Silicium NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57983 | 2SD2104 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 57984 | 2SD2106 | Transistor Du Silicium NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57985 | 2SD2106 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 57986 | 2SD2106 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57987 | 2SD2107 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57988 | 2SD2107 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 57989 | 2SD2107 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57990 | 2SD2108 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57991 | 2SD2108 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57992 | 2SD2114K | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 57993 | 2SD2114S | 20V, 0,5A gain courant élevé transistor de puissance moyenne | ROHM |
| 57994 | 2SD2115 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57995 | 2SD2115(L) | Transistor de commutation de puissance bipolaire | Hitachi Semiconductor |
| 57996 | 2SD2115(L)/(S) | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57997 | 2SD2115(S) | Transistor de commutation de puissance bipolaire | Hitachi Semiconductor |
| 57998 | 2SD2115L | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57999 | 2SD2115L | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 58000 | 2SD2115S | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
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