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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2N6759 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6760, |
Téléchargement 2N6759 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 119 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350V/400v | Téléchargement 2N6759 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 143 kb |
2N6758 | Vue 2N6759 à notre catalogue | 2N6760 |