|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2N6764 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 38A. | Téléchargement 2N6764 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 116 kb |
|
Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3Å/60V/100v D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6763, |
Téléchargement 2N6764 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 145 kb |
|
À canal N à mode d'enrichissement transistor de puissance MOSFET D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6766, 2N6768, 2N6770, JANTX2N6764, JANTX2N6766, |
Téléchargement 2N6764 datasheet de Omnirel |
pdf 68 kb |
|
100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF150, JANTXV2N6764, |
Téléchargement 2N6764 datasheet de International Rectifier |
pdf 155 kb |
2N6763 | Vue 2N6764 à notre catalogue | 2N6765 |