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BF1012S construit près: |
Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 5V de tension de fonctionnement de 1GHz) D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: Q62702-F1627, |
Téléchargement BF1012S datasheet de Siemens |
pdf 48 kb |
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Tétrode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Téléchargement BF1012S datasheet de Infineon |
pdf 41 kb |
BF1012 | Vue BF1012S à notre catalogue | BF1012W |