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BF1012S Fabricado cerca: |
Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) Otros con el mismo archivo para el datasheet: Q62702-F1627, |
Transferencia Directa BF1012S datasheet de Siemens |
pdf 48 kb |
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Tetrodo del Mosfet Del N-Canal Del Silicio | Transferencia Directa BF1012S datasheet de Infineon |
pdf 41 kb |
BF1012 | Vista BF1012S a nuestro catálogo | BF1012W |