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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
BU208D construit près: |
NPN, le transistor de déviation horizontale avec diode d'amortissement intégrée. VCEO = 700Vdc, Vces = 1500VDC, Veb = 5Vdc, Ic = 5Adc, PD = 60W. | Téléchargement BU208D datasheet de USHA India LTD |
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TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPN D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BU508DFI, |
Téléchargement BU208D datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPN | Téléchargement BU208D datasheet de ST Microelectronics |
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DESCRIPTION DE LA PUISSANCE DIFFUSE PAR SILICIUM TRANSISTOR(general) | Téléchargement BU208D datasheet de Wing Shing Computer Components |
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60.000W usage général NPN Transistor métal Can. 700V VCEO, 5.000A Ic, 2 hFE. | Téléchargement BU208D datasheet de Continental Device India Limited |
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BU208A-D | Vue BU208D à notre catalogue | BU2090 |