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IRF820 construit près: |
Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-canal TMOS D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF823, IRF821, |
Téléchargement IRF820 datasheet de Motorola |
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N - la MANCHE 500V - 2,5 W - 2,5 A - Transistor MOSFET De To-220 PowerMESH | Téléchargement IRF820 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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N-canal 500V - 2,5 OHMS - Â - Transistor MOSFET De To-220 POWERMESH II | Téléchargement IRF820 datasheet de ST Microelectronics |
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2.Ä, 500V, 3,000 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Téléchargement IRF820 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF822, |
Téléchargement IRF820 datasheet de Samsung Electronic |
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TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | Téléchargement IRF820 datasheet de BayLinear |
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Transistor MOSFET De Puissance De 2.Ä/500V/3,000 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRF820 datasheet de Intersil |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. | Téléchargement IRF820 datasheet de General Electric Solid State |
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500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF820PBF, |
Téléchargement IRF820 datasheet de International Rectifier |
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IRF82 | Vue IRF820 à notre catalogue | IRF820A |