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| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
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| IRF820 Fabricado cerca: | 
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 | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-canal TMOS Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF823, IRF821, |
Transferencia Directa IRF820 datasheet de Motorola |
pdf 146 kb |
 | N - CANAL 500V - 2,5 W - 2,5 A - Mosfet De To-220 PowerMESH | Transferencia Directa IRF820 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 97 kb |
 | N-canal 500V - 2,5 OHMIOS - Â - Mosfet De To-220 POWERMESH II | Transferencia Directa IRF820 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 265 kb |
 | 2.Ä, 500V, 3,000 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa IRF820 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF822, |
Transferencia Directa IRF820 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
 | MOSFET DE LA ENERGÍA | Transferencia Directa IRF820 datasheet de BayLinear |
pdf 40 kb |
 | Mosfet De la Energía De 2.Ä/De 500V/3,000 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF820 datasheet de Intersil |
pdf 59 kb |
 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | Transferencia Directa IRF820 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
 | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF820PBF, |
Transferencia Directa IRF820 datasheet de International Rectifier |
pdf 175 kb |
| IRF82 | Vista IRF820 a nuestro catálogo | IRF820A |